Тайваньская корпорация UMC (United Microelectronics Corporation) объявила о новом рекорде в отрасли производства ОЗУ: выпущены первые чипы SRAM (статической оперативной памяти), выполненные полностью по 28-нм техпроцессу.
Микросхемы созданы на основе разработанной в UMC технологии низких утечек. В результате применения двухсторонней литографии и технологии деформированного кремния разработчикам UMC удалось создать чипы, которые отличались необыкновенно малыми ячейками для транзисторов — приблизительно 0,122 квадратных микрон. 1 микрон равен одной миллионной метра.
UMC видит два способа применения своей 28-нанометровой технологии: для создания интегральных схем различных мобильных устройств, в первую очередь, сотовых телефонов (будут использоваться транзисторы с кремниевыми затворами), и для изготовления процессоров и GPU (будут применяться транзисторы с металлическими затворами).
