С 22 по 24 сентября в Сан-Франциско проходит Форум Intel для разработчиков (Intel Developer Forum - IDF). 22 сентября генеральный директор и президент корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) продемонстрировал первые образцы микросхем, изготовленных согласно нормам 22-нм технологического процесса.
Intel продолжает доказывать справедливость закона Мура и претворять его в жизнь, предоставляя пользователям новые преимущества. В чипах, анонсированных спустя два года после освоения 32-нм технологического процесса, реализовано третье поколение технологии Hi-K с металлическим затвором. Новая разработка в очередной раз подтвердила, что закон Мура благополучно перешагнул условный рубеж, за которым, по мнению экспертов, полупроводниковая промышленность должна была бы столкнуться с неразрешимыми проблемами.
Работоспособность 22-нм технологии, пригодность нового производственного процесса и надежность продуктов тестируются на модулях памяти SRAM. 22-нм тестовые микросхемы представляют собой память SRAM и логические модули.
SRAM-ячейки размером 0,108 и 0,092 мкм2 функционируют в составе массивов по 364 млн бит. Ячейка площадью 0,108 мкм2 оптимизирована для работы в низковольтной среде, а ячейка площадью 0,092 мкм2 является самой миниатюрной из известных сегодня ячеек SRAM.
На образце размером с ноготь человека размещено 2,9 млрд транзисторов при плотности примерно вдвое выше, чем в чипах, изготовленных в соответствии с 32-нм технологией.
22-нм элементы формируются методом иммерсионной литографии, когда маска подвергается воздействию УФ-излучения (длина волны –193 нм).
