Hynix анонсировала первые в мире 2 Гбит чипы памяти Mobile DRAM, сделанные по 54-нм технологии

Hynix Semiconductor представила первые в мире микросхемы памяти для мобильных устройств, созданные согласно нормам  54 нм техпроцесса и имеющие плотность 2-Гбит. Об этом сообщается на сайте компании. По своей плотности новые чипы вдвое превосходят существующие 1-Гбит решения, предназначенные для мобильных платформ MCP(Multi Chip Package) и PoP(Package on Package).

Максимальная скорость такой памяти может достигать 400 Мбит/с, напряжение составляет 1,2 вольт. Во время 32-битных операций по передаче информации эта память может пропускать до 1,6 ГБ данных в секунду. Кроме того, новая память отличается низким потреблением электроэнергии.

Следует также добавить, что новая разработка соответствует программе Hynix, названной «One Chip Solutions». То есть, эта память является совместимой и с SDRAM, и с DDR DRAM при организации модуля х16 или х32.

Новое решение от Hynix будет востребовано среди производителей мобильных устройств, например MID (Mobile Internet Device) и субноутбуков.