Полупроводниковая индустрия в данный момент находится в поисках новых материалов и технологий, которые помогут решить или отодвинуть на поздний срок проблемы миниатюризации и физических пределов размещения транзисторов. В это направление вкладываются огромные средства, ведь кто получит нужную технологию сегодня, завтра станет королем рынка. Похоже, исследователи из университета г. Торонто получили технологию, которая позволяет обойти "бутылочное горлышко" микрочипов – внутренние соединения, пишет 3Dnews.
В основе технологии лежит лазер, который сможет создавать с помощью инфракрасного света соединения между транзисторами внутри чипа. Фактически это не лазер в обывательском понимании, а некое подобие "принтера". Он представляет собой коллоидную массу из частиц, речь идет о нано-размерах, крошечных полупроводников находящихся в специальном растворе. Лазер позволяет внедрить частицы в другой материал, которые в дальнейшем могут генерировать свет под воздействием электричества и, таким образом, передавать информацию по оптоволокну. По словам разработчиков, эта технология без труда может быть использована в микропроцессорной индустрии.
Особенностью лазера является его простота. Первый экземпляр был создан при помощи небольшой стеклянной трубки, краски и фена. Один из авторов открытия просто высушил феном раствор в трубке и получил наночастицы. В нескольких экспериментах были подобраны необходимые размеры частиц, которые должны были соотноситься с длиной волны инфракрасного света. После чего разработка была оформлена надлежащим образом и опубликована в профильных журналах. Практическое внедрение технологии обещает принести большие выгоды полупроводниковой отрасли. Вполне возможно, что данное открытие ускорит переход в процессорах от металлических соединений к оптическим.
