В США запущено производство GaN-чипов для 5G-оборудования

Поставщик полупроводниковых компонентов из Нидерландов NXP Semiconductors объявил о запуске в Аризоне (США) завода по производству чипов на основе нитрида галлия (GaN), используемых в телекоммуникационном оборудовании для сотовых сетей пятого поколения (5G).

В настоящее время американские законодатели обсуждают возможность выделения многомиллиардных субсидий для восстановления выпуска чипов в Соединённых Штатах. В связи с этим размещение производства микросхем в США становится всё более привлекательным для зарубежных компаний. Тем более, что это позволит свести к нулю ввозные пошлины.

В мае крупнейший в мире контрактный производитель чипов Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщил о намерении построить в Аризоне завод стоимостью $12 млрд, который будет выпускать 5-нм чипы.

NXP сообщила, что её новый завод в США будет производить чипы из пластин нитрида галлия диаметром 150 мм. Неподалёку от него (в 8 км) находится крупный производственный комплекс корпорации Intel.

Нитрид галлия является альтернативой используемому сейчас для изготовления чипов кремнию. Этот материал является ключевым компонентом микросхем для сетей 5G благодаря способности обрабатывать используемые в сетях нового поколения высокие частоты, потребляя при этом меньше энергии, чем чипы из кремния. К тому же чипы на базе GaN гораздо компактнее.

Производство микросхем на основе нитрида галлия в больших объёмах по-прежнему остаётся нишевым бизнесом. Основными поставщиками на этом рынке являются NXP, SkyWorks Solutions Inc и Qorvo Inc.

(C) 3Dnews.ru