ITnews - Новости Информационных Технологий
ITnews - Новости Информационных Технологий
Пятница, 19 марта 2010 г.  

ИнтернетСвязьТехнологииБезопасностьБизнесСофтЖелезоГаджеты

Память DDR3 для ноутбуков на Intel Centrino 2

8 июля 2008, 16:13

Ранее в этом году компания Intel анонсировала разработку новой платформы под кодовым названием Montevina, также известной как Intel Centrino 2. Данная платформа разрабатывалась для увеличения производительности ноутбуков и продолжительности автономной работы.

Одно из отличий платформы в том, что размеры ее комплектующих на 40% меньше размеров компонентов предыдущей платформы Intel Centrino. Благодаря данной особенности платформы, субноутбуки не будут уступать в производительности обычным ноутбукам.

Компания OCZ Technology, специализирующаяся на высокоскоростных модулях памяти DDR и RDRAM, анонсировала новую оперативную память DDR3 SODIMM, которая будет использоваться в платформе нового поколения Intel Centrino 2. Новые модули памяти придадут очень высокую производительность ноутбукам, при этом используя меньшее количество энергии, но, в то же время, увеличивая скорость и пропускную способность. Данные модули компании OCZ будут использоваться в новых профессиональных и игровых ноутбуках, которые в ближайшее время появятся на рынке.

Сегодня были анонсированы две модели — PC3-8500 и PC3-10666, пишет Onliner.

«Мобильная платформа Centrino 2 является логическим завершением компании Intel в интеграции DDR3 памяти в портативные компьютеры, — заявил доктор Майкл Шуе, ведущий специалист OCZ Technology. — С технической точки зрения, технология DDR3-памяти во многом превосходит своего предшественника DDR2 — начиная от большего диапазона частот, что увеличивает общую производительность системы, и заканчивая меньшим потреблением энергии»

OCZ PC3-8500 DDR SODIMM будет доступна в двух версиях: 2 ГБ и 4 ГБ. Характеристики модуля: 1066 МГц, 1,5 В, 200 Pin DIMM, тайминги 8-8-8-27.

Модули OCZ PC3-10666 также будут доступны в двух версиях: 2 ГБ и 4 ГБ. Характеристики модуля: 1333 МГц, 1,5 В, 200 Pin DIMM, тайминги 9-9-9-24.


Рейтинг новости: Рейтинг новости: (оценок: 0). 1 2 3 4 5
подписка Подписка на новости информационных технологий
код для блога Получить код для блога

Смотрите также темы:
  » Читайте также новости:

  » Свежая аналитическая статья:
  » Читайте также интервью:
FTTB – "оптика" в каждый дом
Операторы предоставляют широкополосный доступ в интернет по разным технологиям, которые отличаются скоростью соединения. Однако, вперед вырываются ВОЛС.
Татьяна Менькова, ФИНАМ: "Пользователям надо внушать правила безопасности"
Аналитик ИК "ФИНАМ" прогнозирует огромную популярность электронных платежей "Вконтакте". Однако вместе с тем создателям сервиса придется много поработать, чтобы доказать пользователям безопасность проведения таких платежей
  » Новый обзор:
  » Смотрите также фотогалереи:
LG GS290: "почти как iPhone"
В апреле-мае LG представит украинскому потребителю очередной мобильный телефон с сенсорным управлением среднего ценового уровня. LG GS290 интересна симпатичным iPhone-подобным дизайном, широкой реализацией коммуникационных приложений...
KINGMAX анонсировала аккумуляторы для мобильных телефонов и КПК
KINGMAX запустила новую линейку продуктов для рынка карманных устройств, объем которого уже превысил миллиард устройств в год.

Загрузка...

  » Интересные факты:

  » Еще новости по теме...
Patriot Memory выпускает набор из четырех быстрых модулей памяти DDR2-800 Patriot Memory выпускает набор из четырех быстрых модулей памяти DDR2-800
5 марта 2009, 12:27
Компания Patriot Memory выпустила новый набор модулей памяти DDR2.
Hynix сделала первый в мире 44-нм чип DDR3 RAM на 1 Гб Hynix сделала первый в мире 44-нм чип DDR3 RAM на 1 Гб
10 февраля 2009, 14:36
Hynix представила на Международной конференции по полупроводниковым схемам 1-гигабитный чип DDR3 RAM. Его вместительность составляет 128 МБ, чип был создан по нормам 44-нм техпроцесса.
Toshiba создала высокоплотный чип энергонезависимой ферроэлектрической памяти с пропускной способностью 1,6 ГБ/с Toshiba создала высокоплотный чип энергонезависимой ферроэлектрической памяти с пропускной способностью 1,6 ГБ/с
9 февраля 2009, 12:14
Toshiba разработала высокоемкую микросхему энергонезависимой ферроэлектрической памяти (FeRAM).
Samsung создала первую в мире 40-нм микросхему DRAM Samsung создала первую в мире 40-нм микросхему DRAM
5 февраля 2009, 14:33
Samsung Electronics разработала и утвердила первые чипы и модули DRAM нового класса, выполненные по нормам 40-нм техпроцесса.
DDR3 от Samsung позволит увеличить оперативную память ноутбуков до 8 ГБ DDR3 от Samsung позволит увеличить оперативную память ноутбуков до 8 ГБ
29 января 2009, 10:57
Новые чипы DDR3 от Samsung позволят увеличить оперативную память компьютеров до 8 ГБ.
Gresso "Pandora" - USB Flash Drive с "индивидуальным" характером Gresso "Pandora" - USB Flash Drive с "индивидуальным" характером
27 января 2009, 9:27
Компания Gresso представляет эксклюзивную коллекцию USB Flash Drive "Pandora" - первое luxury устройство со сканером доступа по отпечатку пальца.


Последние новости:




Фотоновости

Еще фотоновостей!



ГлавнаяНовостиАналитикаИнтервьюОбзорыФотогалереиWi-FiФотоновостиФорум
Copyright © 2005-2008 ITnews
Любое использование материалов, опубликованных на ITnews,
разрешается только в случае указания гиперссылки на ITnews.com.ua
О нас | Прислать новость | Экспорт новостей | Подписка на новости | Реклама

TOP.proext.com