Компания NXP Semiconductors N.V. представила устройство PBSM5240PF, которое объединяет в одном не содержащем свинца корпусе DFN2020-6 (SOT1118) ультракомпактный транзистор средней мощности и n-канальный полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора (Trench MOSFET).
Корпус DFN2020-6 (SOT1118) размером 2x2 мм и высотой всего лишь 0,65 мм был создан с учетом мировых тенденций миниатюризации мобильных устройств.
PBSM5240PF – одно из первых на рынке решений для управления питанием, сочетающее в себе BISS-транзистор с низким напряжением насыщения VCE(sat) и полевой МОП-транзистор с вертикальным расположением затвора, – экономит место на печатной плате и имеет отличные электрические характеристики.
Размер посадочного места PBSM5240PF сокращен более чем на 50%, а высота – более чем на 10% по сравнению с традиционными решениями, которые требуют двух отдельных корпусов: для BISS (Breakthrough in Small Signal – «прорыв в области малосигнальных устройств») транзистора и для полевого МОП-транзистора. Корпус DFN2020-6 (SOT1118) снабжен теплоотводом, благодаря чему удалось более чем на 25% улучшить тепловые характеристики устройства, увеличить токи до 2 А и снизить энергопотребление.
PBSM5240PF предназначен для зарядных цепей аккумуляторных батарей мобильных телефонов, MP3-плееров или других портативных устройств. Это решение может применяться также в переключателях нагрузки или в устройствах с батарейным питанием, которым требуются лучшие в своем классе температурные характеристики, чтобы выдерживать более высокие токи при миниатюрных размерах.
«BISS/MOSFET является привлекательным решением для производителей портативных устройств, поскольку в нем уникальным образом сочетаются миниатюрные размеры и превосходные электрические и температурные характеристики корпуса, не содержащего свинца. Интегрированный корпус, рассчитанный на напряжение 40 В, идеально подходит для современных миниатюрных тонких мобильных устройств, где серьезно ограничены высота компонентов и место, занимаемое ими на плате, и где на счету каждый миллиметр», – заявил Йоахим Станге (Joachim Stange), менеджер по продукции компании NXP Semiconductors.
Ключевые характеристики PBSM5240PF BISS транзистора и n-канального полевого МОП-транзистора с вертикальным расположением затвора:
• Высокий ток коллектора IC и импульсный ток коллектора ICM
• Высокий коэффициент усиления по току (hFE) при большом токе коллектора IC
• Высокая энергоэффективность за счет меньшего тепловыделения
• Очень низкое напряжение насыщения «коллектор-эмиттер» (VCEsat)
• Корпус DFN2020-6 с площадью основания 2x2 мм, высвобождающий место на печатной плате
Решение NXP PBSM5240PF – BISS транзистор с n-канальным полевым МОП-транзистором с вертикальным расположением канала – имеется в наличии уже сегодня у ведущих дистрибуторов по всему миру.
