Компания Samsung создала первый в мире модуль памяти DDR2 SDRAM емкостью в 2 гигабайта.
Создан он с использованием 80nm технологии, вопреки тому, что ранее предполагалось, создание памяти такой плотности потребует использования технологии как минимум 65nm.
Новые модули DRAM сочетают в себе последние достижения в области разработки многоканальных "трехмерных" транзисторов, трехслойный металл подложки, сверхточный оксидный фото-процесс (20-angstrom) и принципиально новую архитектуру взаимодействия.
