Исследователи из универститета Токио разработали так называемую органическую флэш-память. Эта микросхема имеет базовую структуру flash-памяти, но сделана полностью из органических материалов. При стирании и чтении данных органической флэш-памяти требуется напряжение 6 вольт и 1 вольт соответственно, правда, при этом она не отличается долговечностью и может выдержать всего 1000 циклов перезаписи.
Созданный японскими исследователями прототип органической флэш-памяти включает гибкую подложку из полиэтилен-нафталата, на которой размещается массив из ячеек 26 х 26 2T. Максимальный радиус сгиба подложки составляет 6 мм. К подложке прикрепляются электроды с алюминиевыми затворами, изолирующая пленка, органический полупроводник пентацен и управляющие элеткроды из золота.
Флэш-память нового типа найдет для себя применение в различных датчиках, электронной бумаге и прочих электронных устройствах. Правда, разработчики отмечают, что новая память может удерживать информацию лишь в течение одного дня, и в этом отношении здесь есть еще над чем поработать. Увеличить способность органической памяти удерживать информацию в течение более длительного периода можно за счет сокращения размера элементов и внедрения слоя с самоорганизующейся структурой. Этот слой будет иметь толщину всего 2 нм и создается из вещества, представляющего собой фосфорную кислоту с алкильной цепью (CH2-CH2-CH2-...).
