2 сентября 2010, 13:24

Samsung Electronics продемонстрировала низкопрофильные модули памяти объемом 16 ГБ

На завершающемся сегодня мероприятии VM World 2010 были впервые показаны низкопрофильные (very low profile, VLP) модули памяти объемом 16 ГБ производства Samsung Electronics.

Модули были установлены в blade-сервер IBM HS22V, построенный на процессорах Intel Xeon 5600. Максимальный объем памяти, который можно установить в сервер IBM HS22V, используя новые модули, равен 288 ГБ, отмечает iXBT.  

В модулях используются микросхемы памяти DDR3 плотностью 4 Гбит, изготовленные по технологии «40-нанометрового класса». Всего на печатной плате каждого модуля установлено 18 микросхем, в корпусе каждой из которых находится два кристалла. Модули рассчитаны на напряжение питания 1,35 В. По сравнению с модулями памяти DDR3, рассчитанными на напряжение питания 1,5 В новые модули обеспечивают экономию до 20% электроэнергии. По сравнению с четырьмя модулями объемом 4 ГБ применение одного модуля объемом 16 ГБ обеспечивает выигрыш на 70% по потребляемой мощности, а по сравнению с двумя модулями объемом по 8 ГБ — 40%. Это помогает заметно снизить энергопотребление сервера, а уменьшенная высота печатной платы — 18,75 мм — позволяет использовать модули даже в самых в компактных серверах.

 

Оцените новость:
  • 0 оценок