Новая разработка этого южнокорейского производителя способна увеличить объем ОЗУ мобильных устройств до 4 ГБ.
Эта память разработана на основе 20-нм техпроцесса, и использует LVSTL I/O интерфейс. Именно благодаря этому скорость обмена данных может достигать 3200 Мбит/с на контакт. Кроме того, стоит отметить, что новый модуль памяти на 50% производительнее современных аналогов, но при этом потребляет на 40% меньше энергии.
По данным журналистов ZDNet, новая память будет использована компанией-производителем во флагмане Galaxy S5. Таким образом, последний получит 4 ГБ оперативной памяти, что в свою очередь позволит смартфону более эффективно работать с 64-битным процессором.
