Вчера компания IBM заявила о совместном выпуске исследовательской программы, направленной на развитие технологии энергонезависимой магниторезистивной оперативной памяти MRAM.
В компаниях считают, что использование этого эффекта позволит обеспечить более высокую плотность размещения ячеек памяти на чипе – по сравнению с другими технологическими методиками, применяемыми в настоящее время – и, как следствие, увеличить объем памяти модуля MRAM.
"Эта совместная инициатива является весомой поддержкой усилий IBM по поставке революционных технологических решений для оперативной памяти, – подчеркивает Т. К. Чен, вице-президент подразделения IBM Research по науке и технологиям. – Главной целью проекта будет создание и демонстрация магнитных материалов с улучшенными свойствами для новейших микросхем памяти".
"Наши совместные исследования и разработки расширят применение магнитных материалов – ключевого технологического направления деятельности TDK начиная с 1935 года", – добавляет г-н Минори Такахаши, ИТ-директор TDK Corporation.
IBM и TDK намерены использовать свой опыт разработок магнитных устройств и результаты своих фундаментальных исследований в области передовых технологий оперативной памяти в целях создания микросхемы памяти MRAM высокой плотности и высокой емкости, которая может широко применяться в качестве отдельных модулей памяти или интегрироваться в другие чипы.
IBM является лидером в разработке технологии оперативной памяти MRAM и пионером в сфере фундаментальных исследований и разработок технологии туннельного магнитного перехода. Ученые IBM первыми предсказали и исследовали эффект переноса спинового момента, на котором основана технология MRAM. TDK, в свою очередь, является лидером в практическом применении MTJ-технологии в записывающих головках жестких дисков. Обе компании провели большое количество исследований и обладают многочисленными патентами в области технологических методик и материалов для магнитной записи данных.
Память MRAM обладает существенными преимуществами перед конкурирующими технологиями оперативной памяти, включая низкое энергопотребление, высокое быстродействие, практически неограниченный срок службы (количество циклов чтения и записи) и энергонезависимость (способность сохранять данные при выключенном питании).
