Совместная разработка компаний IBM и Toshiba под названием MRAM позволит не бояться памяти отключения энергии.
Основным достоинством данного вида памяти является то, что данные в ней не пропадают после выключения питания, как и у флеш-памяти, однако скорость MRAM на порядок выше даже чем у DRAM. Кроме того, энергопотребление MRAM очень скромное и в 10 раз меньше, чем у DRAM. Разработчикам удалось добиться таких показателей благодаря использованию магнитных элементов вместо электрических конденсаторов. Размеры модуля памяти MRAM объемом 1 ГБ занимают площадь почтовой марки. Одним словом, если рыночная стоимость новинки будет приемлемой, то на рынке памяти будет настоящая революция. В частности, мобильные устройства получат быструю и экономную память.
Пока что разработка еще в процессе, но компании планируют вывести MRAM на рынок в 2015 году, пишет mobiset.ru
