Несмотря на высокий спрос на чипы флэш-памяти, исследовательские лаборатории ведущих производителей микрочипов активно работают над поиском новых материалов для создания устройств памяти нового типа – FeRAM (ферроэлектрическая память).
Сотрудникам Fujitsu Microelectronics Asia и Токийского Технологического Института (Tokyo Institute of Technology) удалось разработать более качественные чипы ферроэлектрической памяти на основе феррита висмута. Благодаря новому материалу учёные могут в пять раз (по сравнению с уже существующими образцами FeRAM-памяти) повысить ёмкость чипов.
Согласно сообщению разработчиков, ёмкость ячейки памяти на основе феррита висмута можно увеличить до 256 Мбит, передает Ferra. При этом чипы можно производить по современному 65-нм техпроцессу. Для сравнения: в настоящее время редкие образцы FeRAM-устройств изготовлены по 180-нм технологии, а предоставляемая ими ёмкость на сегодняшний день составляет всего 1 Мбит.
Среди дополнительных преимуществ новинок значатся следующие: меньшее энергопотребление, более высокие скорости передачи данных, меньшие размеры чипов. При этом FeRAM может стать неплохой заменой современной флэш-памяти: к примеру, использоваться в качестве накопителей для ПК или будущих высокотехнологичных устройств.
Тем не менее, FeRAM – дело хоть и не столь отдалённого, но всё же будущего. Как заявляют исследователи, первые опытные поставки новых чипов начнутся лишь в 2009 году. До этого позиции флэш-памяти, скорее всего, останутся абсолютно незыблемыми.
