Об этом сообщили сразу несколько авторитетных СМИ.
Согласно их данным, такие модули ориентированы на применение в флагманских смартфонах и планшетах. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Согласно официальных данных, они вдвое превышают плотность модулей предыдущего поколения, обеспечивая таким образом двойную емкость, но занимая то же пространство.
Скорость последовательного чтения и записи - 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно. Для произвольных операций новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении, и 40 000 IOPS при записи. На деле это примерно в 400 раз быстрее скорости обычных карт microSD.
