Объединенная группа исследователей из компании IBM и двух американских университетов — Калифорнии и Пердью — заявила о том, что им удалось вырастить кремниево-германиевую полупроводниковую нанопроволоку, которая может привести к появлению нового поколения миниатюрных электронных устройств. Нанопроволока имеет в диаметре от нескольких десятков до сотен нанометров и может достигать несколько миллиметров в длину.
Исследователи продемонстрировали образцы нанопроволоки, которые заключали в себе слои из кремния и германия и были настолько острыми, что их кончики приближались к размеру одного атома. Это означает, что такая нанопроволока будет эффективно передавать заряды электронов. Ранее недостаточная заостренность нанопроволоки была камнем преткновения для распространения ее применения в электронике.
Один и ученых, принимающих участие в исследовании, профессор Калифорнийского университета, Сунил Кодамбака (Suneel Kodambaka), высказал предположение о том, что кремниево-германиевые структуры могут применяться в термоэлектрических приборах, а также в автомобильном производстве.
