Недавно в Гонолулу проходило мероприятие IEEE 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop, на котором обсуждались перспективы полупроводниковой промышленности и, в частности, облик ее продукции через 10 лет. Один из наиболее важных докладов представил Йошио Наши (Yoshio Nishi), директор Центра по интегрированным системам Стенфордского университета, чью точку зрения на развитие индустрии мы посчитали нужным осветить подробнее, передает 3Dnews.
Итак, по мнению ведущего специалиста в изучаемой области, к 2016 году чипы будут почти полностью состоять из ячеек памяти, что приведет к ситуации, в которой энергопотребление продукта будет в основном приходиться на долю памяти. В таком случае, ныне перспективные ячейки памяти на основе фазового перехода (phase change memory, PCM), по мнению Наши, не позволят вписаться в требования по энергопотреблению к будущим чипам. Дело в том, что PCM требует дополнительной энергии для обнуления состояния ячейки памяти, а это накладывает дополнительные издержки энергопотребления, которые при постоянном повышении плотности размещения ячеек грозят стать ограничивающим развитие фактором.
Коллектив Йошио Наши видит решение проблемы в сфере резистивной памяти, в которой применяются металлизированные соединения между двумя ячейками памяти. Известно, что уже несколько компаний ведут разработки в сфере резистивной памяти, но по предварительным оценкам результата их работ придется ждать как минимум до 2008-2009 года. Если заглянуть за горизонт 10 или даже 15 лет, то можно утверждать, что все производимые чипы будут с вертикальными соединениями, то есть трехмерными (3D). Использование 3D технологий окажут важное влияние на дизайн и способы создания чипов. По мнению Йошио Наши, сообществу технологов и сообществу разработчиков 3D микросхем уже сегодня нужно налаживать тесное взаимодействие и радикальным образом использовать наработки в области нанотехнологий. Необходимо искать то, о чем дизайнеры и не думали ранее.
Новый вид энергонезависимой памяти часто воспринимают в качестве замены flash памяти, которая в последнее время достигла своего ограничения по миниатюризации и развитию. Тем не менее, энергозависимая память, такая как SRAM и DRAM, также сталкивается с проблемами миниатюризации. Инженерам становится все сложнее обуздать токи утечки. В данном случае ученый призывает общественность сконцентрировать свое внимание на новых формах памяти, которые непременно будут носить приставки "нано" перед именем, которое они вскоре получат.
