Компания Samsung представила 256 МБ чипы памяти UtRAM повышенной скорости работы.
Модули UtRAM, больше известные как pseudo-SRAM, выполнены по 90-нм технологии. Они повторяют структуру ячейки памяти DRAM, но имеют отличный интерфейс, потребляют меньше энергии и собраны из меньшего числа компонентов. В результате, размер чипов может быть очень небольшим, что делает их подходящими для использования в мобильных устройствах.
Работает эта память на частоте в 133 МГц и в состоянии обработать единицу объема информации в 1,7 раза быстрее чем pseudo-SRAM чипы, работающие на частоте в 80 МГц.
В массовое производство UtRAM пойдет ближе к концу 2005 года. UtRAM, по прогнозам экспертов, увеличит долю Samsung на рынке памяти на 30% и на протяжении ближайших трех лет будет приносить компании еще по 33% ежегодного увеличения.
Первые же образцы нового изделия компания Samsung представит производителям мобильных телефонов уже к концу этого месяца.
