Fujitsu создает энергонезависимую память нового типа - ReRAM

Компания Fujitsu представила первые результаты разработки нового типа энергонезависимой памяти с произвольным доступом - резистивной (resistive RAM, ReRAM).

Нацеленная на рынок встраиваемых приложений, новинка позиционируется как замена флэш-памяти. Коммерциализация разработки ожидается около 2010 года. Известно, что разработки в области ReRAM ведут также компании Intel, Spansion и Nippon Telegraph and Telephone (NTT).

Есть несколько причин, по которым Fujitsu отводит ReRAM место предполагаемой замены для встраиваемой памяти. Разработчик считает, что ReRAM сопоставима с флэш-памятью по энергопотреблению, времени чтения, площади ячейки и температуре техпроцесса. Напряжение питания и ток записи новой памяти находятся на уровне 1,8 В и 100 мкА, соответственно. Время чтения - 10 нс и менее. Размер ячейки не превышает по площади 8 единиц проектной нормы, температура процесса - 400°C и менее. По всем перечисленным параметрам другие альтернативные виды памяти (например, PRAM - память с использованием фазового состояния или MRAM - магниторезистивная) пока не могут конкурировать с флэш-памятью.

В то же время, ReRAM показывает высокую надежность при работе в условиях высокой температуры окружающей среды. Это может стать заметным преимуществом, если речь идет о применении, скажем, а автомобильной бортовой электронике - особенно привлекательном сегменте рынка встраиваемых приложений. Кроме того, компания надеется снизить стоимость производства, поскольку ReRAM можно встроить в логические схемы большой степени интеграции, добавив в процесс две дополнительные маски.

Принцип работы новой памяти строится на использовании "двоичного оксида" - оксида металла, скомпонованного из элементов двух типов. На первом этапе в пленке оксида (на снимке - TiOx) формируются токопроводящие волокна, имеющие низкое сопротивление (процесс "формирования") - для этого к ячейке прикладывают высокое напряжение. Во время работы, под действием напряжения, положительная сторона ячейки (к которой подведен положительный полюс) окисляется в ходе процесса "сброса" (записи логического "0"), так что сопротивление увеличивается. Процесс "установки" (записи логической "1") построен на том, что положительная сторона волокна восстанавливается под действием нагрева (джоулево тепло), что снова снижает его сопротивление.

По материалам iXBT.