Корпорация Intel объявила о том, что достигла важного этапа в развитии 45-нанометровой технологии производства интегральных микросхем. Intel создала микросхему, которая стала первой в мире полностью работоспособной микросхемой статической памяти (SRAM, Static Random Access Memory), изготовленной по 45-нанометровой производственной технологии.
45-нанометровая технология Intel позволит выпускать микросхемы, ток утечки в которых снижен более чем в пять раз по сравнению с микросхемами, выпускающимися сейчас. Это позволит увеличить время автономной работы мобильных устройств, а также открыть новые возможности для создания компактных платформ с расширенной функциональностью.
Микросхема статической памяти, продемонстрированная Intel, содержит более 1 миллиарда транзисторов. Несмотря на то, что устройство не является конечной продукцией, оно демонстрирует эффективность технологии, работоспособность процесса и надежность микросхем в преддверии выпуска процессоров и других интегральных микросхем по 45-нанометровой технологии.
