Японская Elpida Memory завершила разработки по созданию 2-гигабитных модулей памяти DDR3 SDRAM, сделанных по нормам 40-нм техпроцесса.
Применение 40-нм технологий позволяет увеличить количество чипов DDR3 SDRAM, получаемых с одной кремниевой пластины, на 44% - по сравнению с 50-нм технологиями. 40-нм модули DDR3 отличаются высочайшей скоростью передачи данных — 1,6 Гбит/сек.
По сравнению с 50-нм продуктами новым 40-нм 2-Гб чипам DDR3 SDRAM требуется на 66% меньше электричества, кроме того, они могут работать при напряжении 1,2 вольт/1,35 вольт, равно как и при стандартном для DDR3 напряжении в 1,5 вольта, при этом их энергопотребление на 45% ниже, чем у 50-нм модулей памяти.
Поставки образцов 40-нм 2-Гб модулей DDR3 SDRAM начнутся в ноябре, а массовое производство будет запущено в конце этого года.
Elpida заявила, что, в зависимости от того, как будет складываться ситуация на рынке DRAM-памяти, при необходимости компания может увеличить объемы производства 40-нм модулей, которые в конечном итоге составят 50% от всей ее продукции.
