На выставке OCP Summit 2021 южнокорейская компания SK hynix продемонстрировала стеки памяти HBM3.
Производитель лишь недавно подтвердил разработку модулей памяти HBM3 объёмом 24 Гбайт со скоростью до 819 Гбайт/с на один стек. Эти микросхемы в обозримом будущем планируется использовать вместе с высокопроизводительными GPU.
Комитет по стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC ещё не принял окончательные спецификации памяти HBM3. SK hynix самостоятельно увеличила у неё пропускную способность с изначально заявленных 5,2 Гбит/с до 6,4 Гбит/с на контакт. Однако на данный момент неизвестно, насколько приближены характеристики чипов памяти от южнокорейского производителя к окончательным спецификациям стандарта, которые будут использоваться в массовом производстве графических ускорителей нового поколения.
В составе модулей памяти HBM3 DRAM от SK hynix могут содержаться до 12 кристаллов памяти, уложенных в вертикальный стек с контроллером в самом низу сборки и объединённые 1024-битным интерфейсом. Хотя сам контроллер не изменился ещё со времён стандарта памяти HBM2, увеличенное количество кристаллов памяти в составе одного модуля и повышенная частота работы позволяют добиться скорости передачи данных по интерфейсу в 819 Гбайт/с, что на 78 % больше по сравнению с памятью HBM2E.
Теоретический продукт на основе 12 модулей памяти HBM3 от SK hynix сможет предложить 288 Гбайт общего объёма памяти с максимальной пропускной способностью до 9,8 Тбайт/с.
(C) 3dnews.
