В исследовательских лабораториях компании Hewlett-Packard создан новый элемент электронных схем, который прежде существовал лишь в теории. Разработчикам удалось создать "мемристор" (от англ. memory - память и resistor - резистор). Новое микроскопическое устройство, по словам HP, способно в корне изменить устройства и методы хранения электронных данных, пишет CyberSecurity.
Мемристоры позволят создавать чипы памяти будущего, которые способны сохранять данные без электричества на протяжении длительного периода времени, что позволит избежать долгого процесса загрузки компьютеров, повысить их производительность, а также многократно снизить энергопотребление электронной техники.
Само понятие "Мемристор" было впервые введено в обиход в далеком 1971 году профессором калифорнийского университета Леоном Чуа, тогда же были описаны основные свойства и показатели этого устройства. Однако на то, чтобы реализовать эту идею на практике, потребовалось 37 лет.
В HP говорят, что их новинка пришлась особенно ко времени, так как многие мировые производители сейчас заняты разработкой новых типов электронной памяти и энергосберегающих технологий. "В зависимости от особенностей реализации технология мемристоров может найти применение как в цифровых устройствах, например, в фотоаппаратах или плеерах, так и в производительных компьютерных и серверных системах", - говорят в HP.
На сегодня в большинстве случаев в цифровых системах применяются разновидности флеш-памяти, но по прогнозам специалистов, после 2016-2017 года она постепенно отойдет в историю, так как не обладает большим запасом емкости и производительностью. А вот у технологии мемристоров, как и у ряда других разработок, связанных, в частности, с магнитным сопротивлением, такой запас имеется.
В лаборатории HP в Пало-Альто (шт Калифорния, США) исследователи построили рабочий прототип мемристора, поместив микроскопические пленки диоксида титана между двумя электродами и пропустили через них электрический ток. "Мемристоры способны запоминать свое состояние в момент прохождения заряда при помощи изменения своей атомной структуры. Фактически заряд мемристора может соответствовать заряду пропущенного тока. В этом заключается принципиальное отличие этих устройств от всех других", - пояснил Уильямс.
