Компания Samsung разработала первый 4 ГБ чип NAND-flash. На сегодня это рекордный объем для этого типа памяти.
А возможным это стало благодаря применению новой 70 милимикронной технологии, позволившей также практически удвоить и скорость записи на чип. В отличие от скорости записи предыдущего поколения чипов, достигавшей всего 8 МБ/с, новые, 4ГБ чипы могут записывать информацию на скорости до 16 МБ/с.
